TCK 获得买入评级，HBM 和中国半导体增长推动 SiC 需求

TCK 是一家韩国半导体零部件制造商，9 月 3 日获得 IBK Securities 的“买入”评级，目标股价为 285,000 韩元。分析师李健宰表示，高带宽内存（HBM）的发展以及中国半导体产业的崛起为 TCK 带来了机遇。该公司在碳化硅（SiC）聚焦环领域占据全网第一的位置，这类聚焦环是半导体蚀刻工艺中使用的耗材零部件。TCK 上半年营收达到 1903 亿韩元，同比增长 26%；其 SiC 订单积压从第一季度的 819 亿韩元增至第二季度的 1763 亿韩元，增长 115%。NAND 闪存市场正从第 8 代（236 层）转向第 9 代（286 层），长线路线图目标为 1,000 层。随着蚀刻工艺复杂度上升，SiC 聚焦环的需求也在增加。

TCK 在 SiC 聚焦环市场占据全网第一

TCK 的 SiC 聚焦环是环绕晶圆边缘的环形耗材零部件，用于半导体蚀刻工艺。这些部件有助于使等离子体均匀接触晶圆，并保护晶圆边缘，从而提高蚀刻质量和良率。在高温、高等离子体环境中，聚焦环会持续磨损，只要半导体生产继续进行，就会产生定期更换需求。

李健宰指出，随着 NAND 闪存层数增加，蚀刻工艺数量上升且难度加大，从而带动 SiC 聚焦环消耗量增加。该分析师表示，TCK 的业绩和订单获取情况已经证实了其结构性增长趋势，公司上半年营收达到 1903 亿韩元，较去年同期增长 26%。

TCK 向包括拉姆研究、东京电子、SEMES 和中国 AMEC 在内的全网设备制造商供货。该分析师表示，TCK 的主要客户此前主要来自美国、日本和韩国，但继 AMEC 之后，与中国企业的供应合作正在不断增加。

HBM 高堆叠配置推动 SiC 需求增长

IBK Securities 将 HBM 的发展确定为 TCK 的新增长动力。李健宰解释称，HBM 将多个 DRAM 芯片垂直堆叠，并通过硅通孔（TSV）将其连接起来。随着堆叠层数增加到 12 层和 16 层，用于形成通孔的 TSV 蚀刻工艺难度也随之加大。

该分析师表示，随着工艺环境变得更加严苛，聚焦环材料预计将从传统石英转向 SiC，后者具备更优异的耐高温和耐等离子体性能。李健宰补充称，与 NAND 相比，SiC 聚焦环在 DRAM 领域的渗透率仍然有限，但 TCK 在 HBM 领域的市场拓展可能从 HBM4 开始，目前相关可能性正在讨论中。

中国半导体扩张扩大 TCK 客户基础

IBK Securities 指出，中国半导体产业的崛起为 TCK 带来了机遇。该分析师表示，TCK 正在扩大与中国企业的供应合作，客户基础也在传统的美国、日本和韩国客户之外进一步拓展。

李健宰评估称，中国半导体市场的增长正在转化为 TCK 客户基础的扩大，预计将对其中长期盈利增长作出积极贡献。该分析师坚持认为，TCK 作为全网第一的 SiC 聚焦环制造商，能够从多个地理市场不断增长的需求中受益。

常见问题

TCK 上半年的营收表现如何？

TCK 上半年营收达到 1903 亿韩元，较上年同期增长 26%。该公司的 SiC 订单积压从第一季度的 819 亿韩元增至第二季度的 1763 亿韩元，增长 115%。

SiC 聚焦环在半导体制造中发挥什么作用？

SiC 聚焦环是蚀刻工艺中环绕晶圆边缘的环形耗材零部件。它们有助于使等离子体均匀接触晶圆，并保护晶圆边缘，从而提高蚀刻质量和良率。这些部件在高温、高等离子体环境中会持续磨损，因此会产生定期更换需求。

为什么 IBK Securities 认为 HBM 的发展是 TCK 的增长机遇？

IBK Securities 分析师李健宰表示，随着 HBM 堆叠层数增加到 12 层和 16 层，TSV 蚀刻工艺难度将进一步加大。更加严苛的工艺环境预计将推动聚焦环从石英转向 SiC。SiC 具备更优异的耐高温和耐等离子体性能，有望使 TCK 在 HBM 领域的市场拓展从 HBM4 开始。