三星和台积电承诺采用 ASML 的高数值孔径芯片制造设备，以满足 AI 需求。

三星和台积电承诺在先进芯片生产中使用 ASML 的 High NA 极紫外光刻机。三星计划从 2028 年开始进行 DRAM 制造，台积电则提到 AI 应用带来的需求。这些承诺是对半导体制造中对更小、更复杂电路图形日益增长需求的回应。High NA EUV 光刻代表了芯片制造技术的一项关键进步，每台设备成本约为 4 亿美元，并能够生产日益复杂的晶体管架构。

三星承诺从 2028 年开始使用 High NA 进行 DRAM 生产

三星表示，将从 2028 年开始使用 ASML 的 High NA 设备生产 DRAM。该公司表示，到 2030 年将采用这项技术，并在提高工艺效率的同时“延展 DRAM 缩放路线图”。继英特尔于 7 月宣布使用 High NA EUV 技术进行先进芯片制造后，三星成为 ASML High NA 设备的又一客户。

台积电采用 High NA 技术进行 AI 芯片制造

台积电表示，将使用 ASML 的设备生产先进芯片，并预计 High NA 设备的使用量将增加，“主要受 AI 应用所需的日益复杂的晶体管架构推动”。High NA 设备能够在芯片制造过程中，将更小、更复杂的图形曝光到硅晶圆上。ASML 尚未就预计销售的设备数量给出最新预测，但表示将在 2027 年将 EUV 总产能增加约 30%。

巴克莱分析师称这些公告对 ASML 利好

巴克莱周二在一份报告中表示，这些公告“应能让市场更清楚地了解采用情况，而这一直是关键争议”，并补充称这一消息“构成利好”。分析师表示，这些公告让 ASML 对未来规划有了更清晰的了解。投资者认为 High NA EUV 设备的成功是 ASML 未来增长的关键，因为该股正寻求延续过去一年 120% 的涨幅。周二早盘，在阿姆斯特丹上市的 ASML 股价持平或下跌。巴克莱表示，“需求显然很强劲”，并指出 ASML 面临“是否进一步扩大 EUV 产能这一重大决策”。

ASML 牵头推进 12 英寸光掩模技术的行业倡议

台积电和三星将加入 ASML 发起的行业倡议，推动下一代 12 英寸光掩模技术发展，从目前的 6 英寸规格升级。光掩模是在芯片生产过程中用于将图形曝光到晶圆上的模板。ASML 表示，更大尺寸光掩模的优势包括更高的生产效率和更低的芯片制造成本。

常见问题

三星和台积电宣布了哪些有关 ASML High NA 设备的消息？

三星承诺使用 ASML 的 High NA 极紫外光刻机，从 2028 年开始生产 DRAM，并于 2030 年采用这项技术。台积电承诺使用这些设备生产先进芯片，推动因素是 AI 应用所需的日益复杂的晶体管架构。

ASML 的 High NA EUV 光刻机价格是多少？

ASML 的 High NA EUV 光刻机每台成本约为 4 亿美元。这些设备能够在芯片制造过程中，将更小、更复杂的电路图形曝光到硅晶圆上。

ASML 的 EUV 设备产能计划是什么？

ASML 表示，将在 2027 年将 EUV 总产能增加约 30%。该公司尚未就预计销售的 High NA 设备数量给出最新预测。