台积电坚持使用现有EUV工具，推迟High-NA采用；A13工艺目标为2029

快讯消息，4月23日，台积电发布了新的制造与封装技术，旨在让芯片更小、更快，同时宣布将继续使用现有的ASML EUV设备，而不是采用更新的High-NA光刻工具。

该公司A13工艺目标是在2029年进入量产，而N2U则代表一种面向智能手机、笔记本电脑和AI芯片的低成本方案。到2028年，台积电计划为10颗大型芯片封装20个存储堆栈，而英伟达的Vera Rubin设计则包含两颗计算芯片和八个存储堆栈。

这一决定与竞争对手在High-NA技术上推进更快形成对比。英特尔已安装ASML的Twinscan EXE:5200B High-NA系统，并预计将在2027年进行风险量产，2028年实现规模化产出。三星在2025年下半年收到了首台High-NA扫描仪，并在2026年上半年获得第二台；SK海力士则在2025年9月安装了一套High-NA EUV工具。台积电的选择反映的是成本与风险方面的考量，而并非对High-NA EUV技术的全面否定。

分析师指出，包括热管理、材料膨胀以及开裂在内的挑战仍未解决。ASML在EUV系统领域维持着近乎垄断的地位，ZEISS SMT、Lam Research和Applied Materials则被认为有望从这一新一轮支出浪潮中受益。受出口限制影响，中国芯片制造商SMIC仍无法购买EUV工具。