三星在 FMS 2026 上公布 zHBM、zNAND-O、V10 BV-NAND AI 内存路线图

Samsung Electronics 在加利福尼亚州圣克拉拉举行的 Future of Memory and Storage（FMS）2026 大会上发布了下一代 AI 内存产品组合，展示了一套全面的技术路线图，旨在满足高性能计算和人工智能基础设施日益增长的需求。该公司在一个以 AI 云服务器为灵感的展台上展示了约 30 种内存和存储技术。同时，闪存产品与技术负责人兼执行副总裁 Jin-Yub Lee，以及 DRAM 设计团队副总裁 Kyungryun Kim，发表了题为“推动 AI 革命浪潮：内存与存储架构中的 3D 创新”的开幕主题演讲。此次发布通过垂直内存架构和先进制造能力，回应了 AI 加速器和数据中心基础设施快速增长的需求。

Samsung 推出 zHBM 和 zNAND-O 垂直内存架构

Samsung 推出了 zHBM。该技术将高带宽内存直接垂直堆叠在 AI 加速器上方，而不是将其放置在芯片旁边。Samsung 表示，这种设计将数据传输距离降至最低，性能约为 HBM5 的八倍，内存密度超过十倍，能效达到三倍，同时将热阻降低一半以上。该架构支持层间定制化知识产权（IP）集成，可针对特定加速器提供量身定制的解决方案。Samsung 还预览了 zNAND-O。这是一种基于 V-NAND 的解决方案，提供四层和八层两种版本，兼具高空间效率和低延迟，适用于实时边缘 AI 工作负载。

Samsung 宣布推出超过 400 层的 V10 BV-NAND 及生产路线图

Samsung 宣布推出 V10 BV-NAND，这是业界首个通过新型晶圆键合技术实现的键合式 V-NAND 架构。该器件拥有超过 400 层，与上一代 V9 相比，存储密度提升约 58%，同时读取、写入和 I/O 性能也有所改善。这一里程碑距离 Samsung 推出业界首款 V-NAND 已过去 13 年。在 2 月实现 HBM4 量产后，该公司于 5 月开始出货 HBM4E 样品，并在 FMS 2026 上展示了 HBM5 产品。Samsung 还展示了 LPDDR5X-PIM，这是业界首款采用存内处理技术的低功耗 DDR 内存，可在内存阵列内执行计算，从而减少数据移动并降低功耗。针对数据中心基础设施，Samsung 展示了 PM1763 和 BM1773 企业级存储解决方案。Samsung 强调了其端到端的一站式战略，提供集成设计和制造服务，旨在缩短开发周期，并为 AI 半导体客户优化性能。

常见问题

Samsung 在 FMS 2026 上发布了什么？
Samsung 在加利福尼亚州圣克拉拉举行的 Future of Memory and Storage（FMS）2026 大会上发布了下一代 AI 内存产品组合，展示了约 30 种内存和存储技术，包括 zHBM、zNAND-O 和 V10 BV-NAND。

Samsung 的 zHBM 技术有哪些性能规格？
Samsung 表示，zHBM 的性能约为 HBM5 的八倍，内存密度超过十倍，能效达到三倍，同时将热阻降低一半以上。

Samsung 的 V10 BV-NAND 有多少层？
Samsung 的 V10 BV-NAND 拥有超过 400 层。与上一代 V9 相比，其存储密度提升约 58%，同时读取、写入和 I/O 性能也有所改善。