SK海力士宣布投资54.3万亿韩元建设两座新晶圆厂

SK Hynix 于7日宣布了两项新的半导体制造设施建设项目，分别位于京畿道龙仁市和忠清道清州市，总投资约54.3万亿韩元。该公司披露，将向龙仁Y2晶圆厂投资35.2万亿韩元，向清州M17晶圆厂投资19.1万亿韩元。这一决定旨在应对人工智能应用推动的存储器需求爆炸式增长，因为存储器组件已成为影响AI性能的关键因素。据市场研究公司Omdia称，从去年起至2030年，DRAM和NAND市场预计都将保持19%的年均增长率，从而形成结构性增长和供应短缺。

SK Hynix计划建设龙仁Y2 DRAM晶圆厂，洁净室将于2029年6月启用

龙仁Y2是SK Hynix计划在龙仁半导体集群中陆续建设的四座晶圆厂中的第二座。该设施将作为DRAM生产中心，总建筑面积为340,000坪。建设计划于明年7月开始，首个洁净室将于2029年6月启用。该晶圆厂将生产包括HBM（高带宽存储器）在内的下一代DRAM。SK Hynix的首座龙仁晶圆厂Y1目前正在建设中，目标是于明年2月启用洁净室。该公司此前将整个龙仁半导体集群的完工时间提前了12年，从2045年提前至2033年，目标是在该日期前完成四座晶圆厂的建设。Y2的投资将分阶段执行至2031年10月。

SK Hynix计划建设清州M17 NAND晶圆厂，洁净室将于2028年12月启用

清州M17将作为NAND闪存生产中心。SK Hynix选择清州作为新的NAND生产基地，是因为这里能够实现最快的晶圆厂建设进度。清州园区已经拥有生产NAND的M11、M12和M15晶圆厂，可以与现有设施实现高效协同生产。该地点还具备土地、电力和供水等完备的基础设施。M17的总建筑面积将达到206,000坪。建设计划于明年2月开始，首个洁净室将于2028年12月启用。投资期将持续至2031年4月，并计划根据项目进度分阶段执行。

预计存储器市场到2030年年均增长率达19%

市场研究公司Omdia预测，从去年起至2030年，DRAM和NAND两个市场的需求都将保持19%的年均增长率。存储器已成为决定人工智能性能的核心组件，从而导致结构性增长和供应短缺。一名SK Hynix官员表示，此次投资旨在匹配市场增长速度并抓住机遇。该官员补充称，通过提前扩大生产能力，公司将确立其作为AI基础设施核心合作伙伴的地位，为全球AI半导体供应链稳定作出贡献。

常见问题

SK Hynix为宣布建设的两座新晶圆厂计划投资总额是多少？

SK Hynix于7日披露，将为两项新的晶圆厂建设项目投资约54.3万亿韩元：龙仁Y2投资35.2万亿韩元，清州M17投资19.1万亿韩元。

SK Hynix的龙仁Y2和清州M17晶圆厂的洁净室何时启用？

龙仁Y2晶圆厂计划于2029年6月启用首个洁净室，而清州M17晶圆厂计划于2028年12月启用首个洁净室。