三星在2026年加州FMS大会上发布zHBM和zNAND-O

Samsung Electronics 在当地时间 2026 年 8 月 4 日至 6 日于加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的 FMS 2026 上，发布了下一代 3D 内存架构 zHBM 和 zNAND-O，并展示了行业首创的原型产品，以应对人工智能基础设施扩张所推动的高容量、高带宽内存需求增长。Samsung 通过这些先进的内存技术，展现了最大限度提升 AI 系统性能和能效的技术愿景。

Samsung 在 FMS 2026 大会上展出约 30 款产品

Samsung Electronics 参加了 FMS 2026，并在约 20 坪的展区内展示了涵盖 DRAM、NAND 和存储解决方案的约 30 款产品。当地时间 8 月 4 日上午 11:40，Lee Jin-yeop（闪存开发部门副总裁）和 Kim Kyung-ryun（DRAM 开发部门执行董事）发表了主题演讲。两位高管介绍了包括 zHBM 和 zNAND-O 在内的下一代 3D 内存架构技术战略，以满足高性能计算和 AI 基础设施的需求。

zHBM 的性能最高可达 HBM5 的 8 倍

zHBM 是一种下一代架构，可将 HBM 垂直堆叠在 AI 加速器（xPU）之上，突破传统的并排布局方式。采用 zHBM 的下一代接口系统，其性能最高可达 HBM5 的 8 倍。随着 HPC 和 AI 基础设施的普及推动高容量、高带宽内存需求不断增长，Samsung 开发 zHBM 旨在克服现有 HBM 解决方案在满足未来性能要求方面的局限。

zNAND-O 将 TSV 技术与 3D 封装相结合

zNAND-O 是 Samsung Electronics 正在开发的下一代高性能 NAND 闪存解决方案。该产品采用现有的 V-NAND 垂直堆叠技术，并结合 TSV（硅通孔）技术，打造 4 层或 8 层堆叠配置的 3D 封装芯片。产品名称中的“-O”后缀表示其针对设备端 AI 环境进行了优化。凭借较高的空间利用率、高数据加载带宽和快速响应速度，zNAND-O 可支持大规模实时数据处理环境中的高性能运行。

Samsung 展示 HBM4E 和 LPDDR5X-PIM 解决方案

Samsung Electronics 展示了针对高性能计算和 AI 数据中心优化的下一代内存和存储解决方案，包括 HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM 和 PM1763。该公司计划通过下一代内存技术创新，以及涵盖内存、晶圆代工和先进封装的差异化解决方案，继续在 AI 时代巩固其半导体技术领导地位。

常见问题

Samsung Electronics 在 FMS 2026 上发布了什么？

Samsung Electronics 在当地时间 2026 年 8 月 4 日至 6 日于加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的 FMS 2026 上，发布了行业首创的下一代 3D 内存架构 zHBM 和 zNAND-O 原型产品。该公司在约 20 坪的展区内展出了约 30 款产品，涵盖 DRAM、NAND 和存储解决方案。

zHBM 的性能与 HBM5 相比如何？

采用 zHBM 的下一代接口系统，其性能最高可达 HBM5 的 8 倍。zHBM 将 HBM 垂直堆叠在 AI 加速器之上，突破传统的并排布局方式，以满足高性能计算和 AI 基础设施的需求。